У січні 2011 Компанія Samsung представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті – 2 ГБ, а напруга – 1,2 В. Пізніше Hynix представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
Компанія Rambus анонсувала прототип пам'яті DDR5 RAM у вересні 2017 року, з доступністю не раніше 3 кварталу 2018 року. Micron виготовила перші прототипи пам'яті в 2017 році, вони були перевірені за допомогою контролера Cadence (TSMC, 7 нм).
DDR5 енергоефективніша і працює на напрузі 1.1 В, тоді як DDR4 працювала на 1.2 В. Управлінням живленням у DDR5 здійснюється над материнській платі, як у попередніх поколіннях пам'яті, але в самому модулі.
Новий Toyota Land Cruiser - це справжній виклик стандартам і водночас глибока повага до багаторічної…
Заправка картриджей лазерных принтеров — это один из способов сократить расходы на печать без потери…
Выбор тельфера для подъема тяжелых грузов — ответственная задача, особенно если речь идет о мощных…
Тепла підлога під плитку: призначення та різновиди Керамічна плитка є найбільш поширеним покриттям для підлоги,…
Очередные изменения в законодательстве Украины окончательно запутали систему начисления пенсионных выплат для граждан. Как следствие,…
З наближенням Нового року багато хто починає планувати святкове меню, шукаючи нові рецепти, щоб вразити…