У січні 2011 Компанія Samsung представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті – 2 ГБ, а напруга – 1,2 В. Пізніше Hynix представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
Компанія Rambus анонсувала прототип пам'яті DDR5 RAM у вересні 2017 року, з доступністю не раніше 3 кварталу 2018 року. Micron виготовила перші прототипи пам'яті в 2017 році, вони були перевірені за допомогою контролера Cadence (TSMC, 7 нм).
DDR5 енергоефективніша і працює на напрузі 1.1 В, тоді як DDR4 працювала на 1.2 В. Управлінням живленням у DDR5 здійснюється над материнській платі, як у попередніх поколіннях пам'яті, але в самому модулі.
Зима – це саме той час року, коли кожна жінка просто зобов’язана купити тепленьку пару…
Старіння — це природний етап життя, який приносить із собою як нові можливості, так і…
Часы швейцарские — это не просто устройство для отсчета времени, а настоящая легенда часового искусства.…
В современном мире мотоциклетной техники выбор подходящей модели становится все более сложной задачей. Растущее разнообразие…
Что такое Edge LED и как она работает Развитие технологий отображения информации значительно изменило качество…
Когда наступают холода, детская одежда становится одной из главных забот родителей. Особое внимание уделяется выбору…