У січні 2011 Компанія Samsung представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті – 2 ГБ, а напруга – 1,2 В. Пізніше Hynix представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
Компанія Rambus анонсувала прототип пам'яті DDR5 RAM у вересні 2017 року, з доступністю не раніше 3 кварталу 2018 року. Micron виготовила перші прототипи пам'яті в 2017 році, вони були перевірені за допомогою контролера Cadence (TSMC, 7 нм).
DDR5 енергоефективніша і працює на напрузі 1.1 В, тоді як DDR4 працювала на 1.2 В. Управлінням живленням у DDR5 здійснюється над материнській платі, як у попередніх поколіннях пам'яті, але в самому модулі.
Буває, тиснеш на газ авто, а воно ніби прив’язане до причепа. Двигун гуде, оберти зростають…
Морська індустрія — це світ, де довіра вимірюється паперами. Капітан судна, крюїнгова компанія чи портова…
BMW — це не просто автомобіль, це інженерна досконалість і філософія водіння. Але навіть найдосконаліша…
В умовах сучасного бою військова каска (шолом) пройшла шлях від простої сталевої «миски» до складного…
Профессиональные микрофоны являются важнейшим элементом современной аудиоиндустрии. Без них невозможно представить ни студийную запись, ни…
Для рибалки, водного туризму або просто відпочинку на воді надувний ПВХ човен залишається одним із…