У січні 2011 Компанія Samsung представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті – 2 ГБ, а напруга – 1,2 В. Пізніше Hynix представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
Компанія Rambus анонсувала прототип пам'яті DDR5 RAM у вересні 2017 року, з доступністю не раніше 3 кварталу 2018 року. Micron виготовила перші прототипи пам'яті в 2017 році, вони були перевірені за допомогою контролера Cadence (TSMC, 7 нм).
DDR5 енергоефективніша і працює на напрузі 1.1 В, тоді як DDR4 працювала на 1.2 В. Управлінням живленням у DDR5 здійснюється над материнській платі, як у попередніх поколіннях пам'яті, але в самому модулі.
Ще кілька років тому модульний будинок в Україні сприймався як щось тимчасове — дачний варіант,…
Заказать суши сегодня проще, чем когда-либо. Но чем больше предложений — тем труднее ориентироваться. Одни…
У современном академическом мире всё большую ценность приобретает практико‑ориентированная магистерская работа, в которой…
Сьогодні домашні тренування стали не просто трендом, а необхідністю для багатьох активних людей. Можливість займатися…
Визнання проблеми — це найскладніший, але найважливіший етап на шляху до одужання. Коли людина або…
Kia Rio – это не просто машина, а настоящая находка для многих автолюбителей. Однако, как…