У січні 2011 Компанія Samsung представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті – 2 ГБ, а напруга – 1,2 В. Пізніше Hynix представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
Компанія Rambus анонсувала прототип пам'яті DDR5 RAM у вересні 2017 року, з доступністю не раніше 3 кварталу 2018 року. Micron виготовила перші прототипи пам'яті в 2017 році, вони були перевірені за допомогою контролера Cadence (TSMC, 7 нм).
DDR5 енергоефективніша і працює на напрузі 1.1 В, тоді як DDR4 працювала на 1.2 В. Управлінням живленням у DDR5 здійснюється над материнській платі, як у попередніх поколіннях пам'яті, але в самому модулі.
Світ інтимних товарів пропонує безліч засобів для покращення якості сексуального життя, і лубриканти займають у…
Як професійний редактор інформаційного порталу хочу допомогти вам зрозуміти, чому варто придивитися до слота Big…
Закласти власний сад — це чудова ідея, що обіцяє не лише свіжі фрукти та ягоди…
Розробка інтернет магазину під ключ: чому це вигідно бізнесу Сучасний бізнес неможливо уявити без онлайн-присутності.…
Тактична балаклава: незамінний елемент захисту у бойових умовах Коли йдеться про польову роботу або службу…
Когда речь заходит о ремонте, строительстве или создании мебели, выбор правильных материалов становится ключевым фактором…