У січні 2011 Компанія Samsung представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті – 2 ГБ, а напруга – 1,2 В. Пізніше Hynix представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
Компанія Rambus анонсувала прототип пам'яті DDR5 RAM у вересні 2017 року, з доступністю не раніше 3 кварталу 2018 року. Micron виготовила перші прототипи пам'яті в 2017 році, вони були перевірені за допомогою контролера Cadence (TSMC, 7 нм).
DDR5 енергоефективніша і працює на напрузі 1.1 В, тоді як DDR4 працювала на 1.2 В. Управлінням живленням у DDR5 здійснюється над материнській платі, як у попередніх поколіннях пам'яті, але в самому модулі.
Бордюр — не просто украшение тротуара. Его установка обязательна для защиты покрытия от расползания и…
Многие путают омара с лангустом, однако это не одно и то же, поскольку основным отличием…
ГідазепамОпишіть симптоми або потрібний препарат – ми допоможемо підібрати його дозування або аналог, оформимо замовлення…
В наше время сложно себе представить город или предприятие без системы отопления. Основные требования к…
Створення комфортного робочого місця вдома відіграє важливу роль у нашій продуктивності та загальному самопочутті. Правильно…
Для того чтобы сделать внутренний откос из пластика совсем необязательно быть профессионалом. Без помощи специалиста…